BSD840N

Name: Infineon BSD840N
Brand: Infineon
Rating: 4.7 (17 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：-
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Основной номер продукта：WK73R2B
Mfr：KOA Speer Electronics, Inc.
Состояние продукта：Active
Пакет：Tape & Reel (TR)
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSD840N
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Active
Описание Samacsys：MOSFET Dual N-Ch 880mA OptiMOS2 SOT363 Infineon BSD840N Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.88 A, 20 V, 6-Pin SOT-363
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.73
Максимальный ток утечки (ID)：0.88 A
Серия：WK73R
Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
Размер / Размерность：0.063 L x 0.126 W (1.60mm x 3.20mm)
Допуск：±5%
Код JESD-609：e3
Количество выводов：2
Коэффициент температурной зависимости：±100ppm/°C
Сопротивление：33 kOhms
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Состав：Thick Film
Мощность (ватт)：0.75W, 3/4W
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-G6
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.4 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：20 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристики：Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
Высота сидения (макс.)：0.028 (0.70mm)
Оценки：AEC-Q200

Со склада 0

Итого $0.00000