(0)
Изображение служит лишь для справки
BF510
-
NXP
-
Транзисторы - JFET
- 4-SMD, No Lead
- RF MOSFET N-CHANNEL JFET 20V 100
Date Sheet
Lagernummer 2000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：TO-236AB
- Пакет：Bulk
- Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：,
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BF510
- Производитель：Philips Semiconductors
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：PHILIPS SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.57
- Рабочая температура：-10°C ~ 70°C
- Серия：SXT224
- Размер / Размерность：0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
- Код JESD-609：e3
- Тип：MHz Crystal
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Подкатегория：Other Transistors
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота：30 MHz
- Частотная стабильность：±25ppm
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：60 Ohms
- Емкость нагрузки：18pF
- Режим работы：Fundamental
- Допустимая частотная неопределенность：±15ppm
- Мощность - Макс：250 mW
- Тип ТРВ：N-Channel
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5pF @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25 W
- Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：3 mA @ 10 V
- Ток-отсечка (VGS off) @ Id：800 mV @ 10 µA
- Теперь：20 V
- Ток потребления (Id) - Макс：30 mA
- Высота сидения (макс.)：0.026 (0.65mm)
Со склада 2000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
