Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BG3140
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- 4-SMD, No Lead
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Состояние продукта:Active
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:SG-8101
- Mfr:EPSON
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, SOT-363, 6 PIN
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BG3140
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Infineon Technologies AG
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.82
- Код упаковки компонента:SOT-363
- Максимальный ток утечки (ID):0.025 A
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C
- Серия:SG-8101
- Размер / Размерность:0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
- Код ECCN:EAR99
- Тип:XO (Standard)
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Напряжение - Питание:1.8V ~ 3.3V
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Частота:11.05992 MHz
- Частотная стабильность:±15ppm
- Выход:CMOS
- Число контактов:6
- Код JESD-30:R-PDSO-G6
- Функция:Enable/Disable
- Базовый резонатор:Crystal
- Ток - Питание (Макс.):6.8mA (Typ)
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.):3.5mA
- Конфигурация:Single
- Режим работы:DUAL GATE, DEPLETION MODE
- Ширина спектра разброса:-
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.025 A
- Минимальная напряжённость разрушения:12 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.16 W
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП):-
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
- Высота сидения (макс.):0.055 (1.40mm)
- Оценки:-
Со склада 0
Итого $0.00000