(0)
Изображение служит лишь для справки
BB833
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- 1210 (3225 Metric)
- Variable Capacitance Diode, S Band, 9.3pF C(T), 35V, Silicon
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：1210 (3225 Metric)
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：1210
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Состояние продукта：Active
- Mfr：KOA Speer Electronics, Inc.
- Основной номер продукта：SG73P2
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Описание пакета：R-PDSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：BB833
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Siemens
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：SIEMENS A G
- Ранг риска：5.15
- Серия：SG73P-RT
- Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
- Размер / Размерность：0.126 L x 0.102 W (3.20mm x 2.60mm)
- Допуск：±1%
- Код JESD-609：e0
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Коэффициент температурной зависимости：±200ppm/°C
- Сопротивление：1 kOhms
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Состав：Thick Film
- Мощность (ватт)：1W
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
- Подкатегория：Varactors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Срок службы：-
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
- Максимальное обратное напряжение：30 V
- Максимальный обратный ток：0.02 µA
- Минимальная напряжение разрушения：30 V
- Обратная тестовая напряжение：30 V
- Диапазон частот：S BAND
- Диод Капацитирующий-Ном：9.3 pF
- Характеристики：Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
- Соотношение минимальной диодной ёмкости：11
- Высота сидения (макс.)：0.028 (0.70mm)
- Оценки：AEC-Q200
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
