(0)
Изображение служит лишь для справки
BSO203P
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- 6-SMD, No Lead
- P-channel Power Mosfet
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, No Lead
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：PG-DSO-8
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：SiTime
- Основной номер продукта：SIT9501
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.2A
- Время отключения：59 ns
- РХОС：Compliant
- Номинальное напряжение (постоянное)：-20 V
- Описание пакета：PLASTIC, SOP-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：BSO203P
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.3
- Код упаковки компонента：SOT
- Максимальный ток утечки (ID)：8.2 A
- Серия：SiT9501
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность：0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm)
- Тип：XO (Standard)
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：2 W
- Напряжение - Питание：3.3V
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：-8.2 A
- Частота：156.25 MHz
- Частотная стабильность：±50ppm
- Выход：LVDS
- Число контактов：8
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Функция：Enable/Disable
- Базовый резонатор：MEMS
- Ток - Питание (Макс.)：32mA
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：-
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2 W
- Ширина спектра разброса：-
- Мощность - Макс：2W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21mOhm @ 8.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2242pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：48.6nC @ 4.5V
- Время подъема：25.9 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：8.2 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12 V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.021 Ω
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20 V
- Максимальный импульсный ток вывода：32.8 A
- Входной ёмкости：2.242 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：97 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Сопротивление стока к истоку：21 mΩ
- Rds на макс.：21 mΩ
- Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
- Оценки：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
