Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
BLF573S
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Retail Package
- Mfr:Glenair
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки:FLATPACK
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:225 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BLF573S
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.62
- Максимальный ток утечки (ID):42 A
- Серия:*
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-CDFP-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):42 A
- Минимальная напряжённость разрушения:110 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000