Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSP315
Изображение служит лишь для справки
BSP315
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET P-CH 50V 1A SOT223
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Retail Package
- Mfr:Glenair
- Состояние продукта:Active
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:BSP315
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Rochester Electronics LLC
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска:5.12
- Максимальный ток утечки (ID):1 A
- Серия:*
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:4 A
- Минимальная напряжённость разрушения:50 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000