Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:Axial
  • Вид крепления:Through Hole
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Срок жизни @ Темп:--
  • Номинальное напряжение:100V
  • Состояние без свинца / Состояние по RoHS:--
  • Максимальный ток утечки (ID):7.9 A
  • Код упаковки компонента:SOT
  • Ранг риска:5.34
  • Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Количество элементов:1
  • Производитель:Fairchild Semiconductor Corporation
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Артикул Производителя:NDS8435A_NL
  • Рохс Код:Yes
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Описание пакета:SO-8
  • Пакетирование:Bulk
  • Серия:Military, MIL-PRF-39003/1, CSR13
  • Рабочая температура:-55°C ~ 125°C
  • Размер / Размерность:0.185 Dia x 0.474 L (4.70mm x 12.04mm)
  • Допуск:±10%
  • Код JESD-609:e3
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):--
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:Hermetically Sealed
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
  • Капацитивность:1.2µF
  • Подкатегория:Other Transistors
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-PDSO-G8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление):--
  • Срок службы:C (0.01%)
  • Расстояние между выводами:--
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Марочная Код размера:B
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):7.9 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.023 Ω
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):2.5 W
  • Характеристики:Military
  • Высота сидения (макс.):--

Со склада 0

Итого $0.00000