Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RBK02P11GQT-0000#JCH
Изображение служит лишь для справки
RBK02P11GQT-0000#JCH
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RBK02P11 - SILICON N CHANNEL POWER MOS FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 4 months ago)
- Количество контактов：6
- Статус жизненного цикла производителя：PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bulk
- Mfr：Renesas
- Состояние продукта：Obsolete
- Серия：*
- Максимальная рабочая температура：85 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная потеря мощности：273.2 mW
- Входной напряжение питания：12 V
- Каналов количество：1
- Количество цепей：1
- Максимальная напряжённость питания：28 V
- Минимальная подача напряжения：2.7 V
- Текущий рабочего питания：30 µA
- Номинальный ток питания：30 µA
- Коэффициент отбрасывания общего режима：85 dB
- Смещение входного напряжения (Vos)：300 µV
- -3дБ полоса пропускания：200 kHz
- Ток смещения входа：2 µA
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты