(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK9E08-55B127
Изображение служит лишь для справки
BUK9E08-55B127
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 2917 (7343 Metric)
- NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：2917 (7343 Metric)
- Поставщик упаковки устройства：I2PAK
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Номинальное напряжение：10V
- Срок жизни @ Темп：--
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V, 10V
- Mfr：NXP Semiconductors
- Максимальная мощность рассеяния：203W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
- Серия：TANTAMOUNT®, 13008
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность：0.299 L x 0.173 W (7.60mm x 4.40mm)
- Допуск：±20%
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Тип：Conformal Coated
- Капацитивность：470µF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：28 mOhm
- Срок службы：--
- Расстояние между выводами：--
- Марочная Код размера：E
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5280 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45 nC @ 5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Угол настройки (макс.)：±15V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：High Reliability
- Высота сидения (макс.)：0.173 (4.40mm)
- Оценки：COTS
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
