BZT52C51K

Name: Taiwan Semiconductor BZT52C51K
Brand: Taiwan Semiconductor
Rating: 4.7 (15 reviews)

Lagernummer 6

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：Axial, Can
Поверхностный монтаж：YES
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：2
Площадка под поверхностное монтажное соединение：--
Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
Номинальное напряжение：25V
Срок жизни @ Темп：20000 Hrs @ 125°C
Описание пакета：R-PDSO-F2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-65 °C
Номинальный напряжений отсчета：51 V
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：BZT52C51K
Максимальная мощность рассеяния：0.2 W
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Taiwan Semiconductor
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Ранг риска：5.4
Рабочая температура：-55°C ~ 125°C
Серия：123 SAL-A
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Размер / Размерность：0.406 Dia x 1.260 L (10.30mm x 32.00mm)
Допуск：±20%
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN OVER NICKEL
Применение：General Purpose
Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
Капацитивность：150µF
Технология：ZENER
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-F2
ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：2.1 Ohm @ 100Hz
Направленность：UNIDIRECTIONAL
Расстояние между выводами：--
Конфигурация：SINGLE
Поларизация：Polar
Импеданс：800 mOhms
Тип диода：ZENER DIODE
Ток пульсации при низкой частоте：350mA @ 100Hz
Допустимый напряжений предел：2%
Тестовая рабочая токовая струя：1 mA
Высота сидения (макс.)：--
Оценки：--

Со склада 6

Итого $0.00000