Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Покрытие контактов:Lead, Tin
  • Монтаж:Through Hole
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:3
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Compliant
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:2N7227
  • Форма упаковки:SQUARE
  • Производитель:Microsemi Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.09
  • Код упаковки компонента:TO-254AA
  • Максимальный ток утечки (ID):14 A
  • Пакетирование:Bulk
  • Допуск:1 %
  • Код JESD-609:e4
  • Количество выводов:4
  • Коэффициент температурной зависимости:5 ppm/°C
  • Сопротивление:65 mΩ
  • Конечная обработка контакта:Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
  • Максимальная рабочая температура:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Состав:Metal Foil
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Максимальная потеря мощности:3 W
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:S-CSFM-P3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Напряжение стока-исток (Vdss):400 V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Непрерывный ток стока (ID):14 A
  • Код JEDEC-95:TO-254AA
  • Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
  • Максимальный сливовой ток (ID):14 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.415 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:56 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:400 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):150 W
  • Rds на макс.:315 mΩ
  • Характеристики:Moisture Resistant
  • Ширина:5.334 mm
  • Высота:27.0002 mm
  • Длина:34.036 mm

Со склада 0

Итого $0.00000