Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7227
Изображение служит лишь для справки
2N7227
- Microchip
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-254
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов:Lead, Tin
- Монтаж:Through Hole
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Compliant
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2N7227
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:Microsemi Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.09
- Код упаковки компонента:TO-254AA
- Максимальный ток утечки (ID):14 A
- Пакетирование:Bulk
- Допуск:1 %
- Код JESD-609:e4
- Количество выводов:4
- Коэффициент температурной зависимости:5 ppm/°C
- Сопротивление:65 mΩ
- Конечная обработка контакта:Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Состав:Metal Foil
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Максимальная потеря мощности:3 W
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:S-CSFM-P3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Напряжение стока-исток (Vdss):400 V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):14 A
- Код JEDEC-95:TO-254AA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Максимальный сливовой ток (ID):14 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.415 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:56 A
- Минимальная напряжённость разрушения:400 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):150 W
- Rds на макс.:315 mΩ
- Характеристики:Moisture Resistant
- Ширина:5.334 mm
- Высота:27.0002 mm
- Длина:34.036 mm
Со склада 0
Итого $0.00000