(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFP8N65X2M
Изображение служит лишь для справки
IXFP8N65X2M
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Поставщик упаковки устройства：TO-220 Isolated Tab
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：IXFP8N65
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：IXYS
- Максимальная мощность рассеяния：150W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HiPerFET™, Ultra X2
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450mOhm @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：790 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
