BUK7720-55A，127

Name: NXP BUK7720-55A，127
Brand: NXP
Rating: 4.8 (18 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение, классификация：50 V
РХОС：Non-Compliant
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Артикул Производителя：BUK7720-55A,127
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：NXP Semiconductors
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
Ранг риска：5.76
Код упаковки компонента：TO-220F
Максимальный ток утечки (ID)：29 A
Допуск：1 %
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Коэффициент температурной зависимости：100 ppm/°C
Сопротивление：1.96 kΩ
Конечная обработка контакта：TIN
Максимальная рабочая температура：155 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Состав：Thin Film
Подкатегория：FET General Purpose Power
Мощность рейтинга：100 mW
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Название бренда：NXP Semiconductor
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：ISOLATED
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：29 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.02 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：117 A
Минимальная напряжённость разрушения：55 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：260 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：32 W
Высота：550 µm

Со склада 0

Итого $0.00000