Изображение служит лишь для справки
BUK98150-55 /T3
- NXP
- Неклассифицированные
- -
- MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:PLASTIC, SC-73, 4 PIN
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BUK98150-55/T3
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.38
- Код упаковки компонента:SC-73
- Максимальный ток утечки (ID):2.6 A
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Код JESD-30:R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):5.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.15 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:30 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):15 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):1.8 W
Со склада 0
Итого $0.00000