BFR194E6327

Name: Infineon BFR194E6327
Brand: Infineon
Rating: 4.5 (10 reviews)

Infineon
Фиксированные индуктивности
2010 (5025 Metric)
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, PNP
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：2010 (5025 Metric)
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：2010
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Mfr：TE Connectivity Passive Product
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Траниционный частотный предел (fT)：5000 MHz
Артикул Производителя：BFR194E6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.4
Код упаковки компонента：SOT-23
Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
Серия：3502, CGS
Размер / Размерность：0.197 L x 0.098 W (5.00mm x 2.50mm)
Допуск：±5%
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Коэффициент температурной зависимости：±100ppm/°C
Сопротивление：820 Ohms
Состав：Thick Film
Мощность (ватт)：2W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Срок службы：-
Конфигурация：SINGLE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：15 V
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Сопротивление базы-эмиттора макс：2 pF
Характеристики：-
Высота сидения (макс.)：0.047 (1.20mm)

Со склада 0

Итого $0.00000