Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7220GTRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7220GTRPBF
- International Rectifier
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS:Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A (Ta)
- Другие Названия:IRF7220GTRPBFTR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta)
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:HEXFET®
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 11A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:600mV @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8075pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:125nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):14V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 0
Итого $0.00000