(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIDR392DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIDR392DP-T1-GE3
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8DC
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：82A (Ta), 100A (Tc)
- Другие Названия：SIDR392DP-T1-GE3TR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：0.62 mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9530pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：188nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
