(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ440N10NS3GATMA1
Изображение служит лишь для справки
BSZ440N10NS3GATMA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSDSON-8
- Напряжение, классификация：50 V
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.3A (Ta), 18A (Tc)
- Другие Названия：BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3 G-ND BSZ440N10NS3 GINTR BSZ440N10NS3 GINTR-ND BSZ440N10NS3G BSZ440N10NS3GATMA1TR SP000482442
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：29W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Допуск：0.5 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Коэффициент температурной зависимости：25 ppm/°C
- Сопротивление：8.25 Ω
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Мощность рейтинга：100 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：44 mOhm @ 12A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.7V @ 12µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：640pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.1nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Высота：550 µm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
