(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD10AN06A0-F085
Изображение служит лишь для справки
FDD10AN06A0-F085
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252AA
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta)
- Другие Названия：FDD10AN06A0-F085CT FDD10AN06A0_F085CT FDD10AN06A0_F085CT-ND
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：135W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.5 mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1840pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：37nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
