(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ840EP-T1_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQJ840EP-T1_GE3
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Tc)
- Другие Названия：SQJ840EP-T1-GE3 SQJ840EP-T1-GE3-ND
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：46W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.3 mOhm @ 10.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1900pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
