(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPT012N06NATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPT012N06NATMA1
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerSFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-HSOF-8-1
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：240A (Tc)
- Другие Названия：SP001637074
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：214W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：85 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Максимальная напряжённость питания：3.6 V
- Минимальная подача напряжения：3 V
- Логическая функция：Clock
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2 mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.3V @ 143µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9750pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：124nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Формат времени：HH:MM:SS
- Без свинца：Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
