Изображение служит лишь для справки
BLF6G10LS-200
- NXP
- Фиксированные индуктивности
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- RF MOSFET Transistors LDMOS TNS
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23-3
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта:MAX6429
- Mfr:Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Состояние продукта:Obsolete
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BLF6G10LS-200
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.37
- Максимальный ток утечки (ID):49 A
- Рабочая температура:-40°C ~ 85°C (TA)
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-PDSO-F2
- Функция:Battery Monitor
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Интерфейс:-
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Защита от ошибок:-
- Минимальная напряжённость разрушения:65 V
- Химия аккумулятора:Multi-Chemistry
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Количество ячеек:1
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000