Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 3 days ago)
  • Монтаж:Axial
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Вес:240.007063 mg
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Напряжение, классификация:350 V
  • РХОС:Compliant
  • Описание пакета:PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
  • Форма упаковки:IN-LINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:BUK9E06-55A
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:NXP Semiconductors
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
  • Ранг риска:5.21
  • Код упаковки компонента:TO-262AA
  • Максимальный ток утечки (ID):75 A
  • Пакетирование:Bulk
  • Допуск:0.1 %
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Количество выводов:2
  • Завершение:Axial
  • Код ECCN:EAR99
  • Коэффициент температурной зависимости:100 ppm/°C
  • Сопротивление:13.3 kΩ
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Максимальная рабочая температура:155 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Состав:Metal Film, Thin Film
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Мощность рейтинга:250 mW
  • Максимальная потеря мощности:250 mW
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSIP-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • ELV:Compliant
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Количество резисторов:1
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-262AA
  • Максимальный сливовой ток (ID):154 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0067 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:616 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:55 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):1100 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):300 W
  • Длина:7.1882 mm
  • Диаметр:2.5 mm

Со склада 0

Итого $0.00000