Изображение служит лишь для справки
BUK9E0655A
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 3 days ago)
- Монтаж:Axial
- Поверхностный монтаж:NO
- Вес:240.007063 mg
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Напряжение, классификация:350 V
- РХОС:Compliant
- Описание пакета:PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
- Форма упаковки:IN-LINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BUK9E06-55A
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.21
- Код упаковки компонента:TO-262AA
- Максимальный ток утечки (ID):75 A
- Пакетирование:Bulk
- Допуск:0.1 %
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Количество выводов:2
- Завершение:Axial
- Код ECCN:EAR99
- Коэффициент температурной зависимости:100 ppm/°C
- Сопротивление:13.3 kΩ
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:155 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Состав:Metal Film, Thin Film
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Мощность рейтинга:250 mW
- Максимальная потеря мощности:250 mW
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- ELV:Compliant
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Количество резисторов:1
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-262AA
- Максимальный сливовой ток (ID):154 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0067 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:616 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):1100 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):300 W
- Длина:7.1882 mm
- Диаметр:2.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000