Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Описание пакета:O-LALF-W2
  • Форма упаковки:LONG FORM
  • Материал корпуса пакета:GLASS
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Артикул Производителя:BA482T/R
  • Форма упаковки:ROUND
  • Производитель:NXP Semiconductors
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
  • Максимальное напряжение включения:1.2 V
  • Ранг риска:5.78
  • Код ECCN:EAR99
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.60
  • Положение терминала:AXIAL
  • Форма вывода:WIRE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-LALF-W2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:MIXER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Выводная мощность-макс:100 A
  • Код JEDEC-95:DO-34
  • Максимальный обратный ток:0.1 µA
  • Минимальная напряжение разрушения:35 V
  • Диапазон частот:VERY HIGH FREQUENCY
  • Максимальная емкость диода:1.2 pF

Со склада 0

Итого $0.00000