DBLS152G

Name: Taiwan Semiconductor DBLS152G
Brand: Taiwan Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

Lagernummer 14

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
Вид крепления：SMD
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Материал диодного элемента：SILICON
Количество терминалов：4
RAM：1,25kB
РХОС：Yes
EEPROM - Постоянное программируемое электронное.memory：4kB
MSL：-
Количество портов ввода/вывода：34
Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
Производитель：TAIWAN SEMICONDUCTOR
Описание пакета：R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная температура рефлоу：30
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：DBLS152G
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：4
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
Максимальное напряжение включения：1.1 V
Ранг риска：5.67
Серия：AT89C
Рабочая температура：-40...+85°C
Пакетирование：DBLS
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：UL RECOGNIZED
Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
Капацитивность：IR - 2uA
Подкатегория：Bridge Rectifier Diodes
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：compliant
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：BRIDGE, 4 ELEMENTS
Замечание：-
Напряжение：VRRM - 100V
Тип диода：BRIDGE RECTIFIER DIODE
Связь：I2C, SPI, UART/USART
Максимальный обратный ток утечки：2 µA
Максимальный импульсный ток：50 A
Выводная мощность-макс：1.5 A
Напряжение включения：1.1 V
Количество фаз：1
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：100 V
Максимальное обратное напряжение：100 V
Максимальная прямая сила тока в пакете：50 A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：50 A
Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
Минимальная напряжение разрушения：100 V
Ширина：6.5 mm
Высота：2.6 mm
Длина：8.51 mm

Со склада 14

Итого $0.00000