H5N2504DSTL-E

Name: Renesas H5N2504DSTL-E
Brand: Renesas
Rating: 4.7 (12 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Yes
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：H5N2504DSTL-E
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Renesas Electronics Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
Ранг риска：5.71
Код упаковки компонента：SC-63
Максимальный ток утечки (ID)：7 A
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：Yes
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN BISMUTH
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：7 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.67 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：28 A
Минимальная напряжённость разрушения：250 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：30 W

Со склада 0

Итого $0.00000