Изображение служит лишь для справки
IRF1405
- Infineon
- Фиксированные индуктивности
- -
- N-channel MOSFET,IRF1405 169A 55V
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRF1405
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:International Rectifier
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Описание Samacsys:N-channel MOSFET,IRF1405 169A 55V
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска:5.08
- Код упаковки компонента:TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID):169 A
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:FAST SWITCHING
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):225
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID):169 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0053 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:680 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):560 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):330 W
Со склада 0
Итого $0.00000