Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:30
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:IRF1405
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:International Rectifier
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Описание Samacsys:N-channel MOSFET,IRF1405 169A 55V
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Ранг риска:5.08
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Максимальный ток утечки (ID):169 A
  • Код JESD-609:e0
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Дополнительная Характеристика:FAST SWITCHING
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):225
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Максимальный сливовой ток (ID):169 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0053 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:680 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:55 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):560 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):330 W

Со склада 0

Итого $0.00000