Изображение служит лишь для справки
![](/_nuxt/img/icon1.a69e55e.png)
![](/_nuxt/img/icon2.6564a3d.png)
![](/_nuxt/img/icon3.dfeeaa2.png)
![](/_nuxt/img/icon4.c64d914.png)
![](/_nuxt/img/icon5.db8ede5.png)
![](/_nuxt/img/icon6.f17f115.png)
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Температура работы-Макс:175 °C
- Артикул Производителя:CEU655
- Время включения макс. (ton):26 ns
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Chino-Excel Technology Corp
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Contact Manufacturer
- Производитель IHS:CHINO-EXCEL TECHNOLOGY CO LTD
- Время отключения макс. (toff):56 ns
- Ранг риска:5.76
- Максимальный ток утечки (ID):6.4 A
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Максимальный сливовой ток (ID):6.4 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.45 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:25.6 A
- Минимальная напряжённость разрушения:150 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):43 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):25 pF
Со склада 0
Итого $0.00000