Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
  • Время типичного задержки включения:18 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
  • Распад мощности:44 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Вес единицы:0.068784 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:1000
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Минимальная прямая транконductанс:6.5 S
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:FQPF9N50C_NL
  • Производитель:onsemi
  • Бренд:onsemi / Fairchild
  • Зарядная характеристика ворот:28 nC
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:800 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:93 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:9 A
  • Серия:FQPF9N50C
  • Пакетирование:Tube
  • Тип:MOSFET
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Время подъема:65 ns
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Максимальная частота:12 GHz
  • Категория продукта:MOSFET
  • Ширина:4.7 mm
  • Высота:16.3 mm
  • Длина:10.67 mm

Со склада 0

Итого $0.00000