Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-220-3
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:200 V
  • Время типичного задержки включения:15 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2 V
  • Распад мощности:43 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Вес единицы:0.068784 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:50
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Минимальная прямая транконductанс:10.8 S
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:FQPF19N20C_NL
  • Производитель:onsemi
  • Бренд:onsemi / Fairchild
  • Зарядная характеристика ворот:53 nC
  • Торговое наименование:QFET
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:170 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:135 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:19 A
  • Серия:FQPF19N20C
  • Пакетирование:Tube
  • Тип:MOSFET
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Время подъема:150 ns
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Категория продукта:MOSFET
  • Ширина:4.9 mm
  • Высота:16.07 mm
  • Длина:10.36 mm

Со склада 0

Итого $0.00000