(0)
Изображение служит лишь для справки
C0805C820K5GAC3124
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：FLG-4
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Распад мощности：270 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：10
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- Максимальный постоянный ток сбора：20 A
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：35 V
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота работы：30 MHz
- Конфигурация：Single
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar
- Прямоходящий ток коллектора：20 A
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
