Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMJ70H600HCTI
Изображение служит лишь для справки
DMJ70H600HCTI
- Diodes
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- MOSFET BVDSS: 651V~800V ITO-220A
- Date Sheet
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Поставщик упаковки устройства:ITO-220AB (Type TH)
- Тип разъема антенны:NMO Connector
- Протокол - Wi-Fi - 802.11b/g/n:-
- Механический стиль:Whip
- Максимальная рабочая температура:+ 85 C
- Минимальная температура работы:- 45 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:NMO Mount
- Центральная частота:933 MHz
- Производитель:TE Connectivity
- Бренд:TE Connectivity / Laird External Antennas
- Протокол - Под ГГц:-
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:DMJ70
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:6.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Diodes Incorporated
- Максимальная мощность рассеяния:2.8W (Ta), 65W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование:Tube
- Тип:Passive Antenna
- Подкатегория:Antennas
- Мощность рейтинга:200 W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Формат:Straight with Base
- Стиль заканчивания:Connector
- Импеданс:50 Ohms
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:600mOhm @ 2.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:570 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:17.4 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):700 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип продукта:Cellular Antennas - GSM, LTE, 2G/3G/4G/5G
- Увеличение:3 dBi
- ВЧСВ:1.8:1
- Число полос:1 Band
- Характеристика ТРП:-
- Продукт:Vehicle Antennas
- Категория продукта:Antennas
- Класс защиты:IP67
- Длина:177.8 mm
- Диаметр:34.93 mm
Со склада 49
Итого $0.00000