Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJS6407_S1_00001
Изображение служит лишь для справки
PJS6407_S1_00001
- Panjit
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6
- MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 2725
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-6
- Поставщик упаковки устройства:SOT-23-6
- Код корпуса - в:2010
- Код корпуса - мм:5025
- Вес единицы:0.001199 oz
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:PCB Mount
- Производитель:TT Electronics
- Бренд:Welwyn Components / TT Electronics
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.1 V
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Зарядная характеристика ворот:14 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:64 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:4.9 A
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.9A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:2W (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Серия:HVC
- Пакетирование:Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск:5 %
- Коэффициент температурной зависимости:50 PPM / C
- Сопротивление:15 MOhms
- Подкатегория:Resistors
- Технология:Thick Film
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:64mOhm @ 4.9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:528 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:14 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:Thick Film Resistors
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:-
- Категория продукта:Thick Film Resistors - SMD
Со склада 2725
Итого $0.00000