Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PSMN1R9-80SSEJ
Изображение служит лишь для справки
PSMN1R9-80SSEJ
- Nexperia
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-1235
- APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
- Date Sheet
Lagernummer 74
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-1235
- Поставщик упаковки устройства:LFPAK88 (SOT1235)
- Пакетная партия производителя:600
- Производитель:3M
- Бренд:3M Electronic Specialty
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:PSMN1R9
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:286A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:340W (Ta)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:80 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.6 V
- Распад мощности:340 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:155 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:1.9 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:286 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:-
- Подкатегория:Cable
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.9mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:17140 pF @ 40 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:232 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):80 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:Flat Cables
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:Flat Cables
Со склада 74
Итого $0.00000