IPW65R190C7

Name: Infineon IPW65R190C7
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (13 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET HIGH POWER_NEW
Date Sheet

Lagernummer 318

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：1 Week
Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：PG-TO247-3
Пакетная партия производителя：5000
Производитель：Micro Commercial Components (MCC)
Бренд：Micro Commercial Components (MCC)
РХОС：Details
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Время типичного задержки включения：11 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.5 V
Распад мощности：72 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.211644 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：SP001080142 IPW65R190C7XKSA1
Зарядная характеристика ворот：23 nC
Торговое наименование：CoolMOS
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：168 mOhms
Время задержки отключения типичного：54 ns
Id - Непрерывный ток разряда：13 A
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Infineon Technologies
Максимальная мощность рассеяния：72W (Tc)
Состояние продукта：Active
Описание пакета：,
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：IPW65R190C7
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：2.22
Пакетирование：Cut Tape
Серия：CoolMOS C7
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190mOhm @ 5.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 290µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1150 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：23 nC @ 10 V
Время подъема：11 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MCC
Ширина：5.21 mm
Высота：21.1 mm
Длина：16.13 mm

Со склада 318

Итого $0.00000