Изображение служит лишь для справки

HERAF1004G C0

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:2
  • Номинальное напряжение (AC):250 V
  • РХОС:Compliant
  • Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
  • Описание пакета:R-PSFM-T2
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:HERAF1004GC0
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
  • Максимальное напряжение включения:1 V
  • Ранг риска:5.21
  • Код ECCN:EAR99
  • Применение:EFFICIENCY
  • Дополнительная Характеристика:FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Моментальный ток:4 A
  • Код JESD-30:R-PSFM-T2
  • Конфигурация:SINGLE
  • Тип диода:RECTIFIER DIODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Выводная мощность-макс:10 A
  • Количество фаз:1
  • Максимальное обратное напряжение:300 V
  • Код JEDEC-95:TO-220AC
  • Максимальная прямая сила тока в пакете:150 A
  • Максимальный обратный ток:10 µA
  • Ток разрыва:4 A
  • Время обратной восстановительной максимальная:0.05 µs
  • REACH SVHC:Unknown

Со склада 0

Итого $0.00000