Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UF3SC065040D8S
Изображение служит лишь для справки
UF3SC065040D8S
-
UnitedSiC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-PowerTSFN
- SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Wall
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-PowerTSFN
- Поставщик упаковки устройства：4-DFN (8x8)
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта：UF3SC065040
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
- Mfr：UnitedSiC
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Завершение：Crimp
- Пол：Female
- Технология：SiCFET (Cascode SiCJFET)
- Ориентация：Straight
- Количество контактов：3
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：58mOhm @ 20A, 12V
- Втс(th) (Макс) @ Id：6V @ 10mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1500 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：43 nC @ 12 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Характеристика ТРП：-
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты