Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

660-031M23F5-01G-59

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:TO-264-3
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:1 kV
  • Время типичного задержки включения:34 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3.5 V
  • Распад мощности:1.25 kW
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 30 V, + 30 V
  • Вес единицы:0.352740 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:25
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Минимальная прямая транконductанс:23 S
  • Режим канала:Enhancement
  • Производитель:IXYS
  • Бренд:IXYS
  • Зарядная характеристика ворот:245 nC
  • Торговое наименование:HiPerFET
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:125 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:107 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:52 A
  • Серия:X-Class
  • Пакетирование:Tube
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Время подъема:13 ns
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel Power MOSFET
  • Категория продукта:MOSFET

Со склада 0

Итого $0.00000