Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HUF76419S3ST_NL
Изображение служит лишь для справки
HUF76419S3ST_NL
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Added For Dpp(intersil) Pkg Id Change<az
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bag
- Основной номер продукта：DTS24F11
- Mfr：TE Connectivity Deutsch Connectors
- Состояние продукта：Active
- РХОС：Non-Compliant
- Максимальный ток утечки (ID)：29 A
- Ранг риска：5.14
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：HUF76419S3ST_NL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Напряжение：60 V
- Текущий：29 A
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.04 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты