APL602B2G

Name: Microchip APL602B2G
Brand: Microchip
Rating: 4.5 (9 reviews)

Microchip
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3 Variant
MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX
Date Sheet

Lagernummer 25

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-247-3 Variant
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Квалификация：AEC-Q200
Максимальная рабочая температура：+ 105 C
Максимальная напряжение питания：5 V
Минимальная температура работы：- 40 C
Пакетная партия производителя：1000
Минимальная напряжение питания：1.8 V
Производитель：CTS
Бренд：CTS Electronic Components
РХОС：Details
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APL602
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：49A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：12V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：730W (Tc)
Состояние продукта：Active
Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
Форма упаковки：IN-LINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APL602B2G
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.17
Максимальный ток утечки (ID)：49 A
Серия：CA70
Пакетирование：Reel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код JESD-609：e1
Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
Подкатегория：Oscillators
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：compliant
Частота：38.4 MHz
Частотная стабильность：30 PPM
Число контактов：3
Стиль заканчивания：SMD/SMT
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Емкость нагрузки：15 pF
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：AMPLIFIER
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：125mOhm @ 24.5A, 12V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9000 pF @ 25 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип продукта：Standard Oscillators
Максимальный сливовой ток (ID)：49 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.125 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：196 A
Минимальная напряжённость разрушения：600 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：3000 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Формат выходных данных：HCMOS
Максимальная потеря мощности (абс.)：730 W
Характеристика ТРП：-
Продукт：Power MOSFET Modules
Категория продукта：Standard Clock Oscillators
Ширина：5 mm
Высота：1.8 mm
Длина：7 mm

Со склада 25

Итого $0.00000