Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMBT3906T3
Изображение служит лишь для справки
PMBT3906T3
- NXP
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Trans Gp Bjt PNP 40V 0.2A 3-PIN TO-236AB T/r
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Количество контактов:3
- Материал диэлектрика:Polypropylene
- Номинальное напряжение (постоянное):630 V
- Номинальное напряжение (AC):275 V
- РХОС:Compliant
- Минимальная частота работы в герцах:60
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Допуск:20 %
- Завершение:Through Hole
- Максимальная рабочая температура:105 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Капацитивность:220 nF
- Шаг:15 mm
- Максимальная потеря мощности:250 mW
- Глубина:8.5 mm
- Моментальный ток:-100 mA
- Частота:250 MHz
- Пitched Lead:15 mm
- Диэлектрик:PP
- Направленность:PNP
- Диаметр вывода:800 µm
- Напряжение:275 V
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:250 mW
- Продуктивность полосы частот:250 MHz
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):40 V
- Максимальный ток сбора:200 mA
- Максимальная частота:250 MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6 V
- Ширина:8 mm
- Высота:14.5 mm
- Длина:18 mm
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000