PJMD990N65EC_L2_00001

Name: Panjit PJMD990N65EC_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.7 (19 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET 650V/ 990mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
Date Sheet

Lagernummer 4813

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：TO-252AA
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：47.5 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.010476 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：6000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：9.7 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：990 Ohms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：4.7 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：47.5W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：650V SJ MOSFET
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пол：Female
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Стиль контакта：Pin
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：990mOhm @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：306 pF @ 400 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.7 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Продукт：MOSFET
Категория продукта：MOSFET

Со склада 4813

Итого $0.00000