(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5010B2LLG
Изображение служит лишь для справки
APT5010B2LLG
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3 Variant
- MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Date Sheet
Lagernummer 21
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3 Variant
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT5010
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：46A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：520W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Пакетирование：Tube
- Тип：MOSFET
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100mOhm @ 23A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4360 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：95 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Характеристика ТРП：-
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
Со склада 21
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
