(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFD113
Изображение служит лишь для справки
IRFD113
-
HARRIS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 4-DIP (0.300, 7.62mm)
- French Electronic Distributor since 1988
Date Sheet
Lagernummer 51660
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：4-DIP (0.300, 7.62mm)
- Поставщик упаковки устройства：4-HVMDIP
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：800mA (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Harris Corporation
- Максимальная мощность рассеяния：1W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：800mOhm @ 800mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：200 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 51660
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
