(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NSVBC849BLT1G
Изображение служит лишь для справки
NSVBC849BLT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Статус жизненного цикла производителя：ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС：Compliant
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：5.76
- Артикул Производителя：NSVBC849BLT1G
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Код упаковки производителя：318-08
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Название бренда：ON Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE
- Полярность/Тип канала：NPN
- Код JEDEC-95：TO-236
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：200
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：30 V
- Максимальное напряжение на выходе：0.6 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс：4.5 pF
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
