Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJL9401_R2_00001
Изображение служит лишь для справки
PJL9401_R2_00001
- Panjit
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SOP
- РХОС:Non-Compliant
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.5A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:2.1W (Ta)
- Состояние продукта:Not For New Designs
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:2.1 V
- Распад мощности:2.1 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:9.8 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:110 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:3 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:110mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:396 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:9.8 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 42
Итого $0.00000