PJQ2460_R1_00001

Name: Panjit PJQ2460_R1_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.5 (9 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
6-WDFN Exposed Pad
MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 5396

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：6-WDFN Exposed Pad
Поставщик упаковки устройства：DFN2020B-6
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.000636 oz
Пакетная партия производителя：3000
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：9.3 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：75 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：3.2 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
Состояние продукта：Active
Серия：NFET-60FIMN
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：75mOhm @ 3.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：509 pF @ 15 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：9.3 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 5396

Итого $0.00000