Изображение служит лишь для справки
MMDT4413_R1_00001
- Panjit
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- SOT-363-6
- Bipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40/40V IC-600/600mA
- Date Sheet
Lagernummer 16604
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-363-6
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:SOT-363
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V, 5 V
- Распад мощности:225 mW
- Полярность транзистора:NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:100
- Вес единицы:0.000280 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:250 MHz, 200 MHz
- Производитель:Panjit
- Бренд:Panjit
- Максимальный постоянный ток сбора:600 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:300
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:40 V
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Максимальный коллекторный ток (Ic):600mA
- Mfr:Panjit International Inc.
- Состояние продукта:Active
- Серия:DT-03TS
- Пакетирование:MouseReel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Dual
- Мощность - Макс:225mW
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN, PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:750mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):40V
- Частота - Переход:250MHz, 200MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V, 40 V
- Прямоходящий ток коллектора:- 600 mA, 600 mA
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 16604
Итого $0.00000