TK62N60W5，S1VF

Name: Toshiba TK62N60W5，S1VF
Brand: Toshiba
Rating: 4.9 (10 reviews)

Toshiba
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-247-3
MOSFET N-Channel Enhancement Mode 600V 3-Pin TO-247
Date Sheet

Lagernummer 56

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：TO-247-3
Вид крепления：Through Hole
Поставщик упаковки устройства：TO-247
РХОС：Non-Compliant
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Время типичного задержки включения：270 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
Распад мощности：400 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Вес единицы：0.211644 oz
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：30
Монтажные варианты：Through Hole
Режим канала：Enhancement
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：205 nC
Торговое наименование：DTMOSIV
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：36 mOhms
Время задержки отключения типичного：250 ns
Id - Непрерывный ток разряда：61.8 A
Пакет：Tube
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：61.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Максимальная мощность рассеяния：400W (Tc)
Состояние продукта：Active
Серия：TK62N60W5
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：150°C
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45mOhm @ 30.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 3.1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6500 pF @ 300 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：205 nC @ 10 V
Время подъема：190 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 56

Итого $0.00000